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FS100R12W2T7-B11

1200 V 100 A 六單元 IGBT模塊

是1200 V、100 A 基于EasyPACK? 2B封裝的六單元IGBT模塊,采用TRENCHSTOP? IGBT7、第七代發(fā)射極控制二極管和PressFIT壓接技術,模塊內(nèi)集成有NTC。 

特征描述

  • 低通態(tài)電壓 VCEsat和Vf

  • 過載時Tvj op=175°C

  • 增強dv/dt可控性

  • 基于dv/dt = 5kV/μs,優(yōu)化開關損耗

  • 8 μs 短路耐受能力

  • 改善續(xù)流二極管的軟度

優(yōu)勢

  • 與上代產(chǎn)品相比,相同電流規(guī)格使用更小的功率模塊封裝,功率密度得到提高

  • 低損耗,符合高能效要求

  • 實現(xiàn)損耗與EMI之間的******平衡

  • 降低系統(tǒng)成本

應用領域