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1700 V 450 A 雙 IGBT模塊

特征描述

• 高功率密度

• 低VCEsat，具有正溫度系數(shù)

• 過載情況下Tvj op = 175°C

• 優(yōu)化開關(guān)損耗

• 增強(qiáng)dv/dt的控制性能

• 改善二極管軟度和Erec損耗

• 增強(qiáng)抗宇宙射線能力

• 改進(jìn)的端子

• PressFIT控制引腳和螺釘式功率端子

• 集成NTC溫度傳感器

• 隔離基板

• 設(shè)計(jì)采用注塑端子，結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高

優(yōu)勢(shì)

• 相同的機(jī)箱尺寸下，可實(shí)現(xiàn)更高逆變器輸出電流

• 避免了IGBT模塊的并聯(lián)

• 通過簡(jiǎn)化逆變器系統(tǒng)，降低系統(tǒng)成本

• 組裝簡(jiǎn)單可靠