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1200 V、450 A共發(fā)射極IGBT模塊

特征描述

• 優(yōu)異的功率密度

• 出眾的VCEsat

• 過載時允許Tvj op = 175°C

• 高爬電距離和電氣間隙

• 隔離基板

• 標(biāo)準(zhǔn)封裝

• 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)要求

• 4 kV AC 1 分鐘絕緣

• 封裝CTI > 400

• 通過UL1557 E83336的UL/CSA認(rèn)證 

優(yōu)勢

• 更大的電流能力

• 適用于NPC2，三電平電路

• 優(yōu)異的功率密度

• 避免IGBT模塊并聯(lián)

• 降低系統(tǒng)成本

• 出眾的可靠性