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1200 V，800 A 半橋IGBT模塊

62 mm 1200 V, 800 A 低飽和壓降的Fast trench IGBT半橋模塊，采用TRENCHSTOP? IGBT7和發(fā)射極控制第7代二極管。也可提供預(yù)涂導(dǎo)熱介質(zhì)版本。

特征描述                                                      

• 現(xiàn)有封裝具有更高的電流能力，支持在相同的框架尺寸下增大逆變器輸出功率

• 最高功率密度

• 避免IGBT模塊并聯(lián)

• 通過簡化逆變器系統(tǒng)降低系統(tǒng)成本

• 靈活性

• 最高可靠性

優(yōu)勢

• 最高功率密度

• 一流的VCE,sat

• Tvj op = 175 °C過載

• 高爬電距離和電氣間隙

• 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

• 4 kV AC下 1分鐘絕緣

• 封裝的CTI > 400

• 通過UL/CSA的UL1557 E83336認(rèn)證

應(yīng)用領(lǐng)域

• 48V 配電

• Motor Control

• 儲(chǔ)能系統(tǒng)-英飛凌(Infineon)官網(wǎng)

• 集中式逆變器解決方案

• 商用、建筑和農(nóng)用車輛 (CAV)

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