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特征描述

• 提高工作溫度Tvj op

• 低開關(guān)損耗

• 低 VCEsat

• T_{vj op} = 150°C

• V_CEsat 帶正溫度系數(shù)

• 絕緣基板

• 標(biāo)準(zhǔn)封裝

優(yōu)勢(shì)

• 靈活性

• 優(yōu)化電氣性能

• 可靠性高

潛在應(yīng)用

• 電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)
  

• 不間斷電源(UPS)

指標(biāo)參數(shù)

Parametrics	FF75R12RT4
Configuration	Dual
Dimensions (length)	94.0 mm
Dimensions (width)	34.0 mm
Housing	34 mm
IC(nom) / IF(nom)	75.0 A
IC   max	75.0 A
Qualification	Industrial
Technology	IGBT4 - T4
VCE(sat) (Tvj=25°C typ)	1.85 V
VF (Tvj=25°C typ)	1.7 V
Voltage Class	1200.0 V

FF系列型號(hào)列表

圖片	型號(hào)	電壓	技術(shù)	電流	VCE(sat) Tvj=25°C   typ	VF Tvj=25°C      typ	封裝結(jié)構(gòu)	長(zhǎng)寬	寬度
	DF150R12RT4	1200 V	IGBT4 - T4	150 A	1.75 V	1.75 V	34 mm	94 mm	34 mm
	FD150R12RT4	1200 V	IGBT4 - T4	150 A	1.75 V	1.75 V	34 mm	94 mm	34 mm
	FF150R12RT4	1200 V	IGBT4 - T4	150 A	1.75 V	1.75 V	34 mm	94 mm	34 mm
	FF100R12RT4	1200 V	IGBT4 - T4	100 A	1.75 V	1.75 V	34 mm	94 mm	34 mm
	FF75R12RT4	1200 V	IGBT4 - T4	75 A	1.85 V	1.7 V	34 mm	94 mm	34 mm
	FF50R12RT4	1200 V	IGBT4 - T4	50 A	1.85 V	1.75 V	34 mm	94 mm	34 mm
	BSM75GB60DLC	600 V	IGBT2 Low Loss	75 A	1.95 V	1.25 V	34 mm	94 mm	34 mm
	BSM200GB60DLC	600 V	IGBT2 Low Loss	200 A	1.95 V	1.25 V	34 mm	94 mm	34 mm
	BSM150GB60DLC	600 V	IGBT2 Low Loss	150 A	1.95 V	1.25 V	34 mm	94 mm	34 mm
	BSM100GB60DLC	600 V	IGBT2 Low Loss	100 A	1.95 V	1.25 V	34 mm	94 mm	34 mm
	BSM50GB60DLC	600 V	IGBT2 Low Loss	50 A	1.95 V	1.25 V	34 mm	94 mm	34 mm