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富士 IGBT模塊

1-Pack是具有1個元件的產(chǎn)品,適用于大容量的電力轉(zhuǎn)換器。 標準封裝分為采用氧化鋁的絕緣基板DCB和采用氮化鋁的絕緣基板DCB兩種。 電力鐵路、電力用功率半導體要求具有很高的可靠性,大功率模塊能夠滿足這一需求。 具備較高的耐熱循環(huán)性和功率循環(huán)性,確保跟蹤性能CTI>600。

1-Pack 1200V級

PackageIc1200V
V   series
Aluminium   oxide DCBAluminium   nitride DCB


image.png

               M153

400A1MBI400V-120-501MBI400VF-120-50
600A1MBI600V-120-501MBI600VF-120-50
900A1MBI900V-120-50


大功率模塊 1200V、1700V、3300V級

PackageIc1200V1700V
3300V
V   seriesV   series
U   Series
Cu-baseplateCu-baseplateAISiC-baseplateAISiC-baseplate

image.png

M155

800A


1MBI800UG-330
1000A


1MBI1000UG-330

image.png

M151,M155

1200A1MBI1200VC-120P1MBI1200VC-170E1MBI1200VR-170E





1600A1MBI1600VC-120P1MBI1600VC-170E1MBI1600VR-170E
2400A1MBI2400VC-120P1MBI2400VC-170E1MBI2400VR-170E

image.png

M156

1200A


1MBI1200UE-330
1500A


1MBI1500UE-330

image.png

M152,M156

2400A1MBI2400VD-120P1MBI2400VD-170E1MBI2400VS-170E





3600A1MBI3600VD-120P1MBI3600VD-170E1MBI3600VS-170E